IXFR10N100Q
类别:FET-单,描述:MOSFETN-CH1000V9AISOPLUS247,系列:HiPerFET,制造商:IXYS,FET型:MOSFETN通道,金属氧化物,FET特点:标准,漏极至源极电压333Vdss444:1000V(1kV),电流_连续漏极333Id4440a025000C:9A,开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a02